2N3506

2N3506 Microchip / Microsemi


Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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Technische Details 2N3506 Microchip / Microsemi

Description: TRANS NPN 40V 0.5A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 1 W.

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2N3506 2N3506 Hersteller : Microchip Technology lds-0016.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N3506 2N3506 Hersteller : Microchip Technology Description: TRANS NPN 40V 0.5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
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