Technische Details 2N3506 Microchip / Microsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.5A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 1 W.
Weitere Produktangebote 2N3506
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| 2N3506 | Hersteller : microsemi |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2N3506 | Hersteller : MOT | CAN |
auf Bestellung 843 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N3506 | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans GP BJT NPN 40V 3A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N3506 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N3506 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 40V 0.5A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W |
Produkt ist nicht verfügbar |