2N3735 Microchip Technology
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 25.91 EUR |
| 10+ | 25.88 EUR |
| 100+ | 24.04 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2N3735 Microchip Technology
Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO39, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
Weitere Produktangebote 2N3735
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N3735 | MICROSEMI |
 TO-39/NPN TRANSISTOR 2N3735Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
2N3735 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO39 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
2N3735 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N3735 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO39
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO39
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N3735 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH