2N3735

2N3735 Microchip Technology


LDS_0173-1593899.pdf Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
auf Bestellung 213 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+34.71 EUR
100+ 32.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2N3735 Microchip Technology

Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 1 W.

Weitere Produktangebote 2N3735

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
2N3735 2N3735 Hersteller : Microchip Technology lds-0173.pdf Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
2N3735 Hersteller : MICROSEMI 8978-lds-0173-datasheet TO-39/NPN TRANSISTOR 2N3735
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
2N3735 2N3735 Hersteller : Microchip Technology 8978-lds-0173-datasheet Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar