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2N3739 Microsemi


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Hersteller: Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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Technische Details 2N3739 Microsemi

Description: TRANS NPN 300V 1A TO66, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 25mA, 250mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 250mA, 10V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 20 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
2N3739 MOTOROLA
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2N3739
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