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2N4123

2N4123 NTE Electronics, Inc.

2n4123_24.pdf Hersteller: NTE Electronics, Inc.
Trans GP BJT NPN 30V 0.2A 3-Pin TO-92
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Technische Details 2N4123 NTE Electronics, Inc.

Description: TRANS NPN 30V 0.2A TO92, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: TO-92, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 350 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N4123 2N4123 Hersteller : Harris Corporation RSELS23605-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 30V 0.2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 350 mW
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2N4123 2N4123 Hersteller : onsemi / Fairchild 2N4123_D-2309282.pdf Bipolar Transistors - BJT TO-92
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