2N4123 NTE Electronics, Inc.
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Technische Details 2N4123 NTE Electronics, Inc.
Description: TRANS NPN 30V 0.2A TO-92, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: TO-92, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 350 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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2N4123 | Hersteller : Harris Corporation |
 Description: TRANS NPN 30V 0.2A TO-92Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 350 mW |
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2N4123 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT TO-92 |
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