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2N4923G

2N4923G ON Semiconductor

2n4921-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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Technische Details 2N4923G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N4923G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-225, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: 2NXXXX, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N4923G 2N4923G ON Semiconductor 2n4921-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 3000 Stücke:
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1000+0.75 EUR
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2N4923G 2N4923G ONSEMI 2n4921-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 30W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO225
Current gain: 30...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
auf Bestellung 122 Stücke:
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65+1.33 EUR
92+0.94 EUR
122+0.7 EUR
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2N4923G 2N4923G onsemi 2n4921-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W NPN
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.49 EUR
100+0.99 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.64 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2N4923G 2N4923G onsemi 2n4921-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A TO-126
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
auf Bestellung 4878 Stücke:
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9+2.34 EUR
15+1.49 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.64 EUR
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2N4923G 2N4923G ON Semiconductor 2n4921-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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2N4923G 2N4923G ONSEMI ONSM-S-A0013776869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N4923G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1016 Stücke:
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2N4923G 2N4923G ON Semiconductor 2n4921-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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2N4923G 2N4923G ON Semiconductor 2n4921-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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2N4923G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 30W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO225
Current gain: 30...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
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Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W NPN
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Description: TRANS NPN 80V 1A TO-126
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
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2N4923G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N4923G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4923G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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2N4923G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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2N4923G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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