2N4923G ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 30W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO225
Current gain: 10...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 50+ | 1.43 EUR |
| 120+ | 0.6 EUR |
| 133+ | 0.54 EUR |
| 172+ | 0.42 EUR |
| 182+ | 0.39 EUR |
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Technische Details 2N4923G ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4923G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: 2NXXXX, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote 2N4923G nach Preis ab 0.39 EUR bis 1.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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2N4923G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 30W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 30W Case: TO225 Current gain: 10...150 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 3MHz |
auf Bestellung 316 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N4923G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 30 W |
auf Bestellung 546 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N4923G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W NPN |
auf Bestellung 462 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N4923G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N4923G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N4923G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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2N4923G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N4923G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
Produkt ist nicht verfügbar |