2N5089 (Bipolartransistor NPN) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

2N5089 (Bipolartransistor NPN)

2N5089 (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 36987
Hersteller:
Gehäuse: TO-92
fT: 50 MHz
Uceo,V: 25
Ucbo,V: 30
Ic,A: 0,05
h21: 1200

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Technische Details 2N5089 (Bipolartransistor NPN)

Preis 2N5089 (Bipolartransistor NPN) ab 0.27 EUR bis 0.32 EUR

2N5089
2N5089
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 25V 50MA TO92-3
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition: 50MHz
Power - Max: 625mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Bag
2N5089.pdf
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2N5089
Hersteller: FSC

2N5088,%205089%20Rev3.pdf 2N5089.pdf
1000 Stücke
2N5089
2N5089
Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN
2N5088_D-2309691.pdf
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2N5089
2N5089
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN
2N5088_D-2309691.pdf
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2N5089
2N5089
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 0.05A TO92
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition: 50MHz
Power - Max: 625mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Transistor Type: NPN
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
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