2N5154S1 STMicroelectronics
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Technische Details 2N5154S1 STMicroelectronics
Description: RAD-HARD 80 V, 5 A NPN TRANSISTO, Packaging: Strip, Package / Case: TO-276AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V, Supplier Device Package: SMD5, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 35 W.
Weitere Produktangebote 2N5154S1 nach Preis ab 259.56 EUR bis 490.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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2N5154S1 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R |
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2N5154S1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model |
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| 2N5154S1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: RAD-HARD 80 V, 5 A NPN TRANSISTO Packaging: Strip Package / Case: TO-276AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: SMD5 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 35 W |
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2N5154S1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R |
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