2N5190G

2N5190G ON Semiconductor


2n5191-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.68 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2N5190G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N5190G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote 2N5190G nach Preis ab 0.55 EUR bis 2.27 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
2N5190G 2N5190G Hersteller : onsemi 2N5191_D-2309067.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 40V
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.76 EUR
10+1.22 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.58 EUR
2000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5190G 2N5190G Hersteller : onsemi 2n5191-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.27 EUR
13+1.43 EUR
100+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5190G 2N5190G Hersteller : ONSEMI 1911601.pdf Description: ONSEMI - 2N5190G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5190G 2N5190G Hersteller : ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5190G 2N5190G Hersteller : ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5190G 2N5190G Hersteller : ON Semiconductor 37332n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH