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2N5191G

2N5191G onsemi

2N5191_D-2309067.pdf Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN
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Technische Details 2N5191G onsemi

Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N5191G 2N5191G Hersteller : onsemi 2n5191-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
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2N5191G 2N5191G Hersteller : ONSEMI 2N5191.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
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2N5191G 2N5191G Hersteller : ONSEMI 2N5191.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
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2N5191G 2N5191G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013776772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2N5191G 2N5191G Hersteller : ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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2N5191G 2N5191G Hersteller : ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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2N5191G 2N5191G Hersteller : ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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2N5191G 2N5191G Hersteller : ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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