2N5191G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details 2N5191G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2N5191G nach Preis ab 0.39 EUR bis 2.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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2N5191G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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2N5191G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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2N5191G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 1540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5191G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 1595 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5191G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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2N5191G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN |
auf Bestellung 27281 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5191G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 4A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 40 W |
auf Bestellung 2328 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5191G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-225AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 12884 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5191G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5191G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5191G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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2N5191G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO225 Case: TO225 Frequency: 2MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 25...100 Collector current: 4A Type of transistor: NPN Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2N5191G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO225 Case: TO225 Frequency: 2MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 25...100 Collector current: 4A Type of transistor: NPN Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT |
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