2N5226 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: 25V 500MA 310MW TH TRANSISTOR-SM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Box
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Technische Details 2N5226 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Description: 25V 500MA 310MW TH TRANSISTOR-SM, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 50MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 300nA, Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Box.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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2N5226 TIN/LEAD | Central Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT PNP 25Vcbo 25Vceo 4.0Vebo 8pF |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N5226 TIN/LEAD |
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Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 25Vcbo 25Vceo 4.0Vebo 8pF
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Im Einkaufswagen
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