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2N5306 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp

Name: 2N5306 TIN/LEAD
Brand: Central Semiconductor Corp
SKU: 4806914-3
Price: 19.20 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk

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Technische Details 2N5306 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp

Description: TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO92-3, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 60MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN - Darlington, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Bulk.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	2N5306 TIN/LEAD	Central Semiconductor	Bipolar Transistors - BJT NPN 25Vcbo 25Vceo 12Vebo 300mA 625mW	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2N5306 TIN/LEAD

Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 25Vcbo 25Vceo 12Vebo 300mA 625mW

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