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2N5415

2N5415 CDIL

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE888D8DE220FE653D1&compId=2N5415_6.pdf?ci_sign=976c60cb0138ef05cb3f34c3832fa6d1bbe5be42 Hersteller: CDIL
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 1A; 1/10W; TO39
Kind of package: bulk
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1/10W
Collector current: 1A
Polarisation: bipolar
Current gain: 30...150
Collector-emitter voltage: 200V
Case: TO39
Frequency: 15MHz
Mounting: THT
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Technische Details 2N5415 CDIL

Description: TRANS PNP 200V 1A TO-5AA, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-5AA, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V, Power - Max: 750 mW.

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2N5415
Produktcode: 182182
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132282-lds-0305-datasheet 2N5415%2C%202N5416.pdf TN5415A.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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2N5415 2N5415 Hersteller : CDIL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE888D8DE220FE653D1&compId=2N5415_6.pdf?ci_sign=976c60cb0138ef05cb3f34c3832fa6d1bbe5be42 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 1A; 1/10W; TO39
Kind of package: bulk
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1/10W
Collector current: 1A
Polarisation: bipolar
Current gain: 30...150
Collector-emitter voltage: 200V
Case: TO39
Frequency: 15MHz
Mounting: THT
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2N5415 2N5415 Hersteller : Microchip Technology LDS-0305_2n5415-16.pdf Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5415 Hersteller : Ignion 132282-lds-0305-datasheet 2N5415%2C%202N5416.pdf TN5415A.pdf Bipolar Transistors - BJT
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2N5415 Hersteller : Diodes Incorporated 132282-lds-0305-datasheet 2N5415%2C%202N5416.pdf TN5415A.pdf Bipolar Transistors - BJT
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2N5415 Hersteller : ROHM Semiconductor 132282-lds-0305-datasheet 2N5415%2C%202N5416.pdf TN5415A.pdf Bipolar Transistors - BJT
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2N5415 Hersteller : onsemi 132282-lds-0305-datasheet 2N5415%2C%202N5416.pdf TN5415A.pdf Array
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2N5415 2N5415 Hersteller : STMicroelectronics CD00001221-465513.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Power Switching
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2N5415 2N5415 Hersteller : TT Electronics - IoT Solutions TTRB_S_A0004899695_1-2565514.pdf Bipolar Transistors - BJT
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2N5415 Hersteller : onsemi TN5415A.pdf Description: TRANS PNP 200V 0.1A TO-39
Package / Case: TO-39
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1 W
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2N5415 2N5415 Hersteller : STMicroelectronics 15505cd00001221.pdf Trans GP BJT PNP 200V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N5415 2N5415 Hersteller : Microchip Technology 2n5415.pdf Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag
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2N5415 2N5415 Hersteller : Microchip Technology 132282-lds-0305-datasheet Description: TRANS PNP 200V 1A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 750 mW
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2N5415 2N5415 Hersteller : MULTICOMP PRO 2861201.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N5415 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 1 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 30
Verlustleistung Pd: 10
Übergangsfrequenz ft: 15
Bauform - Transistor: TO-39
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 200
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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2N5415 2N5415 Hersteller : Semelab (TT electronics) 2n5415_16csm4.pdf Trans GP BJT PNP 200V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
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2N5415 2N5415 Hersteller : Semelab 2n5415_16csm4.pdf Trans GP BJT PNP 200V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
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2N5415 2N5415 Hersteller : STMicroelectronics 2N5415%2C%202N5416.pdf Description: TRANS PNP 200V 1A TO-39
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1 W
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