2N5415
Produktcode: 182182
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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2N5415 | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
auf Bestellung 261 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5415 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5415 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5415 | Hersteller : Semelab (TT electronics) |
Trans GP BJT PNP 200V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 |
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2N5415 | Hersteller : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N5415 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 1 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 30 Verlustleistung Pd: 10 Übergangsfrequenz ft: 15 Bauform - Transistor: TO-39 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 200 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 1 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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| 2N5415 | Hersteller : STM |
TRANSISTOR PNP -200V -1A TO-39 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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2N5415 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 200V 1A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 750 mW |
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2N5415 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 200V 1A TO-39 Packaging: Tube Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 1 W |
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| 2N5415 | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 200V 0.1A TO-39 Package / Case: TO-39 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 1 W |
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| 2N5415 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
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| 2N5415 | Hersteller : Ignion |
Bipolar Transistors - BJT |
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| 2N5415 | Hersteller : onsemi |
Array |
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| 2N5415 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT |
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2N5415 | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT PNP Power Switching |
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2N5415 | Hersteller : TT Electronics - IoT Solutions |
Bipolar Transistors - BJT |
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