2N5415S Microchip Technology
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| Anzahl | Preis |
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| 12+ | 39.33 EUR |
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Technische Details 2N5415S Microchip Technology
Description: TRANS PNP 200V 1A TO-39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V, Power - Max: 750 mW.
Weitere Produktangebote 2N5415S nach Preis ab 39.33 EUR bis 39.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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2N5415S | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag |
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2N5415S | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag |
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| 2N5415S | Hersteller : ST |
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2N5415S | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag |
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2N5415S | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 200V 1A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 750 mW |
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2N5415S | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 200 V Power BJT |
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