2N5415S Microchip Technology
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Technische Details 2N5415S Microchip Technology
Description: TRANS PNP 200V 1A TO-39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V, Power - Max: 750 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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2N5415S | Microchip Technology |
 Description: TRANS PNP 200V 1A TO-39Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 750 mW |
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2N5415S | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 200 V Power BJT |
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| 2N5415S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 750mW; TO39 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 200V Power dissipation: 0.75W Case: TO39 Mounting: THT |
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2N5415S | Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag |
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2N5415S | Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag |
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| 2N5415S |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 200V 1A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 750 mW
Description: TRANS PNP 200V 1A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 750 mW
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| 2N5415S |
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Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 200 V Power BJT
Bipolar Transistors - BJT 200 V Power BJT
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| 2N5415S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 750mW; TO39
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 200V
Power dissipation: 0.75W
Case: TO39
Mounting: THT
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 750mW; TO39
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 200V
Power dissipation: 0.75W
Case: TO39
Mounting: THT
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| 2N5415S |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag
Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag
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| 2N5415S |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag
Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag
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