2N5416 Microchip Technology
Hersteller: Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 300V 1A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 750 mW
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 25.54 EUR |
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Technische Details 2N5416 Microchip Technology
Description: MULTICOMP PRO - 2N5416 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-39, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 15MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote 2N5416 nach Preis ab 0.37 EUR bis 29.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2N5416 Produktcode: 17794
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-39 fT: 15 MHz U, V: 300 V U, V: 350 V |
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2N5416 | Hersteller : CDIL |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 1A; 1/10W; TO39 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 1A Power dissipation: 1/10W Case: TO39 Current gain: 30...120 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 15MHz |
auf Bestellung 1252 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5416 | Hersteller : CDIL |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 1A; 1/10W; TO39 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 1A Power dissipation: 1/10W Case: TO39 Current gain: 30...120 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 15MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1252 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N5416 | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 300 V Power BJT |
auf Bestellung 323 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5416 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5416 | Hersteller : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N5416 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-39 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 15MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2006 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5416 | Hersteller : Semelab |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 3-Pin TO-39 |
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2N5416 | Hersteller : Cicor |
Bipolar Transistors - BJT |
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| 2N5416 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
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| 2N5416 | Hersteller : Ignion |
Bipolar Transistors - BJT |
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| 2N5416 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT |
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2N5416 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 300V 1A TO-39 Packaging: Tube Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1 W |
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2N5416 | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT PNP Power Switching |
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2N5416 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag |
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2N5416 | Hersteller : Central Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Box |
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2N5416 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
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2N5416 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag |
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2N5416 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag |
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2N5416 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 1A; 10W; TO5 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 1A Case: TO5 Mounting: THT Frequency: 50MHz Power: 10W |
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