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2N5416 CDIL

LDS-0305_2n5415-16.pdf 2N5415%2C%202N5416.pdf Hersteller: CDIL
2N5416-CDI PNP THT transistors
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Technische Details 2N5416 CDIL

Description: MULTICOMP PRO - 2N5416 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-39, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 15MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N5416 2N5416
Produktcode: 17794
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2n5415_series.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-39
fT: 15 MHz
U, V: 300 V
U, V: 350 V
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2N5416 2N5416 Hersteller : Microchip Technology LDS-0305_2n5415-16.pdf Bipolar Transistors - BJT 300 V Power BJT
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2N5416 2N5416 Hersteller : Microchip Technology LDS-0305_2n5415-16.pdf Description: TRANS PNP 300V 1A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 750 mW
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2N5416 2N5416 Hersteller : Microchip Technology 2n5415.pdf Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag
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2N5416 2N5416 Hersteller : MULTICOMP PRO 2864189.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N5416 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 15MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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2N5416 2N5416 Hersteller : Semelab sf_2n5416.pdf Trans GP BJT PNP 300V 1A 3-Pin TO-39
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2N5416 2N5416 Hersteller : Microchip Technology 2n5415.pdf Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag
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2N5416 2N5416 Hersteller : Microchip Technology 2n5415.pdf Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag
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2N5416 2N5416 Hersteller : STMicroelectronics 15505cd00001221.pdf Trans GP BJT PNP 300V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N5416 2N5416 Hersteller : Central Semiconductor 2n5415_series.pdf Trans GP BJT PNP 300V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Box
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2N5416 2N5416 Hersteller : STMicroelectronics 2N5415%2C%202N5416.pdf Description: TRANS PNP 300V 1A TO-39
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
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2N5416 2N5416 Hersteller : STMicroelectronics LDS-0305_2n5415-16.pdf 2N5415%2C%202N5416.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Power Switching
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2N5416 Hersteller : ROHM Semiconductor LDS-0305_2n5415-16.pdf 2N5415%2C%202N5416.pdf Bipolar Transistors - BJT
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2N5416 Hersteller : Ignion LDS-0305_2n5415-16.pdf 2N5415%2C%202N5416.pdf Bipolar Transistors - BJT
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2N5416 Hersteller : Diodes Incorporated LDS-0305_2n5415-16.pdf 2N5415%2C%202N5416.pdf Bipolar Transistors - BJT
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