2N5550 (Bipolartransistor NPN) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

2N5550 (Bipolartransistor NPN)

2N5550 (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 28033
Hersteller:
Gehäuse: TO-92
fT: 200 MHz
Uceo,V: 140
Ucbo,V: 160
Ic,A: 0,6
h21: 250

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Technische Details 2N5550 (Bipolartransistor NPN)

  • Bipolar Transistor
  • Transistor Polarity:

Preis 2N5550 (Bipolartransistor NPN) ab 0.021 EUR bis 0.31 EUR

2N5550
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Material: 2N5550-LGE NPN THT transistors
2N5550%20Rev4.pdf 2N5550_1.pdf
auf Bestellung 5345 Stücke
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1415+ 0.051 EUR
2573+ 0.028 EUR
2902+ 0.025 EUR
3155+ 0.023 EUR
3235+ 0.022 EUR
3338+ 0.021 EUR
2N5550
Hersteller: LGE
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold 2N5550G 2N5550RLRPG 2N5550TA 2N5550TAR 2N5550TFR 2N5550-LGE Trans. 2N5550 TO92 T2N5550
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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2N5550
2N5550
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: T-NPN SI- HIV AMP
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
2N5550_1.pdf
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2N5550
2N5550
Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
2N5550_D-2309758.pdf
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2N5550
2N5550
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
2N5550_D-2309758.pdf
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2N5550
2N5550
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
2N5550%20Rev4.pdf
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2N5550
2N5550
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
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