Produkte > ONSEMI > 2N5550TAR
2N5550TAR

2N5550TAR onsemi

2N5550-D.PDF
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.14 EUR
4000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Mindestmenge: 2000 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2N5550TAR onsemi

Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 625 mW.

Weitere Produktangebote 2N5550TAR nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.67 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N5550TAR 2N5550TAR ON Semiconductor 2n5550jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TAR 2N5550TAR onsemi 2N5550-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 5733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.61 EUR
10+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TAR 2N5550TAR onsemi 2N5550-D.PDF Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 3774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
53+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TAR 2N5550TAR ON Semiconductor 2n5550jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TAR 2n5550jp-d.pdf
2N5550TAR
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TAR 2N5550-D.PDF
2N5550TAR
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 5733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.61 EUR
10+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TAR 2N5550-D.PDF
2N5550TAR
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 3774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+0.67 EUR
53+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TAR 2n5550jp-d.pdf
2N5550TAR
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH