2N5551TFR

2N5551TFR ON Semiconductor


2n5551t-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 15474 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2223+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 2223
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2N5551TFR ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 625 mW.

Weitere Produktangebote 2N5551TFR nach Preis ab 0.055 EUR bis 0.44 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
2N5551TFR 2N5551TFR Hersteller : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2165+0.067 EUR
6000+0.063 EUR
10000+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 2165
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFR 2N5551TFR Hersteller : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7979+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 7979
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFR 2N5551TFR Hersteller : onsemi 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFR 2N5551TFR Hersteller : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 15474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1143+0.13 EUR
1713+0.081 EUR
1728+0.078 EUR
2223+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 1143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFR 2N5551TFR Hersteller : ONSEMI 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
432+0.17 EUR
634+0.11 EUR
1185+0.06 EUR
1254+0.057 EUR
10000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFR 2N5551TFR Hersteller : ONSEMI 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 1945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
432+0.17 EUR
634+0.11 EUR
1185+0.06 EUR
1254+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFR 2N5551TFR Hersteller : onsemi / Fairchild 2N5551T_D-3006505.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
auf Bestellung 9452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+0.41 EUR
13+0.23 EUR
100+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
2000+0.083 EUR
10000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFR 2N5551TFR Hersteller : onsemi 2n5551t-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 3385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+0.44 EUR
67+0.26 EUR
107+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFR 2N5551TFR Hersteller : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFR 2N5551TFR Hersteller : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFR 2N5551TFR Hersteller : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFR 2N5551TFR Hersteller : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551TFR 2N5551TFR Hersteller : ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH