2N5660 Microchip Technology


LDS_0184-1661338.pdf Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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Technische Details 2N5660 Microchip Technology

Description: TRANS NPN 200V 2A TO66, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 200nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V, Power - Max: 2 W.

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2N5660 Hersteller : Microchip Technology 122692-lds-0184-datasheet Description: TRANS NPN 200V 2A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 2 W
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