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2N5667

2N5667 Microsemi


LDS-0062-602288.pdf Hersteller: Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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Technische Details 2N5667 Microsemi

Description: TRANS NPN 300V 5A TO5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 200nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V, Supplier Device Package: TO-5AA, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 1.2 W.

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2N5667 2N5667 Hersteller : Microchip Technology Description: TRANS NPN 300V 5A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-5AA
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
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