2N5682E3 Microchip Technology
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Technische Details 2N5682E3 Microchip Technology
Description: TRANS NPN 120V 1A TO5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-5AA, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 1 W.
Weitere Produktangebote 2N5682E3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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2N5682E3 | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 |
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2N5682E3 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 120V 1A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1 W |
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2N5682E3 | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
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