Technische Details 2N5682E3 Microchip Technology
Description: TRANS NPN 120V 1A TO5, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Packaging: Bulk, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: TO-5AA, Frequency - Transition: 30MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ).
Weitere Produktangebote 2N5682E3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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2N5682E3 | Microchip Technology |
 Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 32 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2N5682E3 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 120V 1A TO5 Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-5AA Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2N5682E3 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 120V 1A 1W NPN Lead-Free Power BJT THT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N5682E3 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5682E3 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 120V 1A TO5
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-5AA
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Description: TRANS NPN 120V 1A TO5
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-5AA
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
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| 2N5682E3 |
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Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 120V 1A 1W NPN Lead-Free Power BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 120V 1A 1W NPN Lead-Free Power BJT THT
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Stück im Wert von UAH