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2N5686G

2N5686G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
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Technische Details 2N5686G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N5686G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-204AA, Dauerkollektorstrom: 50A, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N5686G 2N5686G onsemi 2N5684-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 50A 80V 300W NPN
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2N5686G 2N5686G ONSEMI ONSM-S-A0013776947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5686G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-204AA
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5686G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
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Bauform - Transistor: TO-204AA
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