2N5686G ON Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 27.3 EUR |
| 25+ | 24.37 EUR |
| 50+ | 23.19 EUR |
| 100+ | 21.82 EUR |
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Technische Details 2N5686G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N5686G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-204AA, Dauerkollektorstrom: 50A, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.
Weitere Produktangebote 2N5686G nach Preis ab 20.44 EUR bis 42.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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2N5686G | onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 50A 80V 300W NPN |
auf Bestellung 2134 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5686G | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 50A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 300 W |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N5686G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5686G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-204AA Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N5686G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 50A 80V 300W NPN
Bipolar Transistors - BJT 50A 80V 300W NPN
auf Bestellung 2134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 33.51 EUR |
| 10+ | 25.57 EUR |
| 100+ | 20.44 EUR |
| 2N5686G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 50A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 300 W
Description: TRANS NPN 80V 50A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 300 W
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 37.95 EUR |
| 10+ | 27.14 EUR |
| 100+ | 21.05 EUR |
| 2N5686G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5686G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-204AA
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Description: ONSEMI - 2N5686G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-204AA
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 42.28 EUR |
| 7+ | 35.34 EUR |
| 10+ | 28.98 EUR |
| 50+ | 25.92 EUR |