2N6301E3 Microchip Technology



Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN DARL 80V 500UA TO66
Power - Max: 75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 µA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Packaging: Bulk
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
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Technische Details 2N6301E3 Microchip Technology

Description: TRANS NPN DARL 80V 500UA TO66, Power - Max: 75 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 µA, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Packaging: Bulk, Transistor Type: NPN - Darlington, Mounting Type: Through Hole.

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2N6301E3 2N6301E3 Microchip Technology LDS_0310-1592683.pdf Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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