2N6351E3 Microchip Technology
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 47.64 EUR |
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Technische Details 2N6351E3 Microchip Technology
Description: POWER BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AC, TO-33-4 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V, Supplier Device Package: TO-33, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 1 W.
Weitere Produktangebote 2N6351E3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N6351E3 | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans Darlington NPN 150V 5A 1000mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N6351E3 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans Darlington NPN 150V 5A 1000mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N6351E3 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AC, TO-33-4 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-33 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W |
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