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2N6520TA

2N6520TA ON Semiconductor

2n6515-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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Technische Details 2N6520TA ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 350V 0.5A TO-92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 625 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N6520TA 2N6520TA ONSEMI 2N6520-D.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 30...200
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 40...200MHz
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374+0.23 EUR
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2N6520TA 2N6520TA onsemi 2N6520-D.PDF Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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2N6520TA 2N6520TA onsemi 2N6520-D.PDF Description: TRANS PNP 350V 0.5A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
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2N6520TA 2N6520TA ON Semiconductor 2n6515-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 30...200
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 350V 0.5A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
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