2N6660 SOLID STATE
Hersteller: SOLID STATE
Description: SOLID STATE - 2N6660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 2.7 ohm, TO-205AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.25W
Bauform - Transistor: TO-205AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 13.34 EUR |
| 23+ | 10.38 EUR |
| 100+ | 7.95 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2N6660 SOLID STATE
Description: SOLID STATE - 2N6660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 2.7 ohm, TO-205AD, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.25W, Bauform - Transistor: TO-205AD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote 2N6660 nach Preis ab 23.9 EUR bis 95.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N6660 | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
2N6660 | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
2N6660 | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 60V 410MA TO39 Packaging: Bag Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-39 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V |
auf Bestellung 1062 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
2N6660 | Microchip Technology |
MOSFET 60V 3Ohm |
auf Bestellung 603 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
2N6660 | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag |
auf Bestellung 478 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
2N6660 | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag |
auf Bestellung 559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| 2N6660 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 25.57 EUR |
| 25+ | 23.9 EUR |
| 2N6660 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 25.57 EUR |
| 2N6660 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 410MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
Description: MOSFET N-CH 60V 410MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
auf Bestellung 1062 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 29.19 EUR |
| 25+ | 26.75 EUR |
| 100+ | 25.76 EUR |
| 2N6660 |
|
Hersteller: Microchip Technology
MOSFET 60V 3Ohm
MOSFET 60V 3Ohm
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 30.98 EUR |
| 25+ | 28.42 EUR |
| 2N6660 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 478+ | 52.49 EUR |
| 2N6660 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 95.64 EUR |
| 25+ | 92.88 EUR |
| 50+ | 89.48 EUR |
| 125+ | 86.19 EUR |
| 250+ | 44.8 EUR |