2N6660 Microchip Technology
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Technische Details 2N6660 Microchip Technology
Description: SOLID STATE - 2N6660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 2.7 ohm, TO-205AD, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.25W, Bauform - Transistor: TO-205AD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote 2N6660 nach Preis ab 20.08 EUR bis 80.37 EUR
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2N6660 | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag |
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2N6660 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 60V 410MA TO39 Packaging: Bag Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-39 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V |
auf Bestellung 2228 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N6660 | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET 60V 3Ohm |
auf Bestellung 603 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N6660 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag |
auf Bestellung 478 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6660 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag |
auf Bestellung 559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6660 | Hersteller : SOLID STATE |
Description: SOLID STATE - 2N6660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 2.7 ohm, TO-205AD, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.25W Bauform - Transistor: TO-205AD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6660 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag |
auf Bestellung 578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6660 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag |
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2N6660 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N6660 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag |
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| 2N6660 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD |
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2N6660 | Hersteller : Semelab |
Trans MOSFET N-CH 60V 1A 3-Pin TO-39 |
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2N6660 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 410mA; Idm: 3A; TO39 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 410mA Pulsed drain current: 3A Case: TO39 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
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2N6660 | Hersteller : Semelab / TT Electronics |
MOSFET N-CHANNEL TO39 |
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2N6660 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 410mA; Idm: 3A; TO39 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 410mA Pulsed drain current: 3A Case: TO39 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
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