2N6660 SOLID STATE

Description: SOLID STATE - 2N6660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 2.7 ohm, TO-205AD, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.25W, Bauform - Transistor: TO-205AD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).