2N6661

2N6661 Microchip Technology


72720005516a.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 141 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+19.16 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2N6661 Microchip Technology

Description: MICROCHIP - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, DMOS-FET, vertikal, n-Kanal, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 90V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.25W, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote 2N6661 nach Preis ab 20.83 EUR bis 44.08 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
2N6661 2N6661 Hersteller : Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+20.83 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6661 2N6661 Hersteller : Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+20.83 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6661 2N6661 Hersteller : Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+23.19 EUR
25+22.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6661 2N6661 Hersteller : Microchip Technology 20005516A.pdf Description: MOSFET N-CH 90V 350MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+24.60 EUR
25+22.55 EUR
100+21.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6661 2N6661 Hersteller : Microchip Technology 20005516A-3443187.pdf MOSFETs 90V 4Ohm
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+26.03 EUR
25+23.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6661 2N6661 Hersteller : Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+33.99 EUR
10+28.34 EUR
25+25.20 EUR
50+24.11 EUR
100+22.30 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6661 2N6661 Hersteller : Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
177+44.08 EUR
Mindestbestellmenge: 177
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6661 2N6661 Hersteller : MICROCHIP MCHP-S-A0001708798-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, DMOS-FET, vertikal, n-Kanal, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 90V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.25W
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6661 2N6661 Hersteller : Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6661 2N6661 Hersteller : Semelab 2n6661.pdf Trans MOSFET N-CH 90V 0.9A 3-Pin TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6661 2N6661 Hersteller : Vishay 1265374748351242n6661ja.pdf Trans MOSFET N-CH 90V 0.86A 3-Pin TO-205AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6661 2N6661 Hersteller : Semelab (TT electronics) 2n6661.pdf Trans MOSFET N-CH 90V 0.9A 3-Pin TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6661 2N6661 Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 20005516A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 90V; 350mA; Idm: 3A; TO39
Drain-source voltage: 90V
Drain current: 0.35A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 3A
Mounting: THT
Case: TO39
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6661 2N6661 Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 20005516A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 90V; 350mA; Idm: 3A; TO39
Drain-source voltage: 90V
Drain current: 0.35A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 3A
Mounting: THT
Case: TO39
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH