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2N6661

2N6661 Microchip Technology

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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
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Technische Details 2N6661 Microchip Technology

Description: MICROCHIP - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, DMOS-FET, vertikal, n-Kanal, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 90V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 6.25W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N6661 2N6661 Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
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2N6661 2N6661 Microchip Technology 20005516A.pdf Description: MOSFET N-CH 90V 350MA TO39
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bag
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2N6661 2N6661 Microchip Technology 20005516A-3443187.pdf MOSFETs 90V 4Ohm
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2N6661 2N6661 MICROCHIP 20005516A.pdf Description: MICROCHIP - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, DMOS-FET, vertikal, n-Kanal, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 90V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 6.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
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2N6661 2N6661 Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
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2N6661
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
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Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
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Description: MICROCHIP - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, DMOS-FET, vertikal, n-Kanal, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 90V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 6.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
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Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
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177+53.06 EUR
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