2N6661 Microchip Technology
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| 8+ | 19.16 EUR |
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Technische Details 2N6661 Microchip Technology
Description: MICROCHIP - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, DMOS-FET, vertikal, n-Kanal, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 90V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.25W, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote 2N6661 nach Preis ab 20.83 EUR bis 44.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2N6661 | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag |
auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6661 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag |
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2N6661 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag |
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2N6661 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 90V 350MA TO39 Packaging: Bag Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-39 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V |
auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N6661 | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFETs 90V 4Ohm |
auf Bestellung 575 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N6661 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag |
auf Bestellung 294 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6661 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag |
auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6661 | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, DMOS-FET, vertikal, n-Kanal, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 90V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.25W Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6661 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6661 | Hersteller : Semelab |
Trans MOSFET N-CH 90V 0.9A 3-Pin TO-39 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N6661 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 90V 0.86A 3-Pin TO-205AD |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N6661 | Hersteller : Semelab (TT electronics) |
Trans MOSFET N-CH 90V 0.9A 3-Pin TO-39 |
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2N6661 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 90V; 350mA; Idm: 3A; TO39 Drain-source voltage: 90V Drain current: 0.35A On-state resistance: 4Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 3A Mounting: THT Case: TO39 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2N6661 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 90V; 350mA; Idm: 3A; TO39 Drain-source voltage: 90V Drain current: 0.35A On-state resistance: 4Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 3A Mounting: THT Case: TO39 |
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