2N6661 Microchip Technology
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Technische Details 2N6661 Microchip Technology
Description: MICROCHIP - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, DMOS-FET, vertikal, n-Kanal, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 90V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 6.25W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm.
Weitere Produktangebote 2N6661 nach Preis ab 23.85 EUR bis 43.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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2N6661 | Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6661 | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag |
auf Bestellung 179 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6661 | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag |
auf Bestellung 179 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6661 | Microchip Technology |
MOSFETs 90V 4Ohm |
auf Bestellung 978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N6661 | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 90V 350MA TO39 Packaging: Bag Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-39 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V |
auf Bestellung 381 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N6661 | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, DMOS-FET, vertikal, n-Kanal, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 90V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 6.25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm |
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| 2N6661 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 84 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 7+ | 26.07 EUR |
| 2N6661 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 179 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 28.52 EUR |
| 25+ | 25.23 EUR |
| 100+ | 23.85 EUR |
| 2N6661 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 179 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 28.52 EUR |
| 25+ | 25.79 EUR |
| 100+ | 24.76 EUR |
| 2N6661 |
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Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 90V 4Ohm
MOSFETs 90V 4Ohm
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 28.63 EUR |
| 25+ | 26.31 EUR |
| 2N6661 |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 90V 350MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
Description: MOSFET N-CH 90V 350MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
auf Bestellung 381 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 29.55 EUR |
| 25+ | 27.08 EUR |
| 100+ | 26.1 EUR |
| 2N6661 |
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, DMOS-FET, vertikal, n-Kanal, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 90V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 6.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
Description: MICROCHIP - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, DMOS-FET, vertikal, n-Kanal, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 90V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 6.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 43.28 EUR |
| 25+ | 30.93 EUR |