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2N7000-D75Z

2N7000-D75Z onsemi

NDS7002A-D.PDF Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.14 EUR
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Technische Details 2N7000-D75Z onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N7000-D75Z 2N7000-D75Z Hersteller : ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 6000 Stücke:
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2N7000-D75Z 2N7000-D75Z Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
180+0.40 EUR
230+0.31 EUR
334+0.21 EUR
481+0.15 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 117
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
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2N7000-D75Z 2N7000-D75Z Hersteller : onsemi NDS7002A-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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36+0.49 EUR
100+0.24 EUR
500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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2N7000-D75Z 2N7000-D75Z Hersteller : onsemi / Fairchild NDS7002A-D.PDF MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
auf Bestellung 2312 Stücke:
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10+0.52 EUR
100+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
2000+0.14 EUR
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2N7000-D75Z 2N7000-D75Z Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000-D75Z 2N7000-D75Z Hersteller : ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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