2N7000-G Microchip Technology
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Technische Details 2N7000-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote 2N7000-G nach Preis ab 0.42 EUR bis 0.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2N7000-G | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
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2N7000-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
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2N7000-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 3844 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
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2N7000-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
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2N7000-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFETs 60V 5Ohm |
auf Bestellung 4634 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: bulk Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2N7000-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: bulk |
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2N7000-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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2N7000-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
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2N7000G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Box |
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| 2N7000G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Box |
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2N7000G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
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2N7000G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 60V 200mA N-Channel |
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