Technische Details 2N7000-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm.
Weitere Produktangebote 2N7000-G nach Preis ab 0.4 EUR bis 1.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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2N7000-G | Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 1894 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000-G | Microchip Technology |
MOSFETs 60V 5Ohm |
auf Bestellung 2364 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2252 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 1978 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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2N7000-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
auf Bestellung 4002 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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2N7000-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N7000-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 1894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 441+ | 0.4 EUR |
| 2N7000-G |
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Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 60V 5Ohm
MOSFETs 60V 5Ohm
auf Bestellung 2364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.9 EUR |
| 2N7000-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 2252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 0.92 EUR |
| 28+ | 0.77 EUR |
| 100+ | 0.68 EUR |
| 2N7000-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 1978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 176+ | 1 EUR |
| 1000+ | 0.81 EUR |
| 2N7000-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 1.06 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| 2N7000-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7000-G |
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 4002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7000-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)