2N7002-7-F CJ
Produktcode: 186256
1
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Hersteller: CJ
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 0,115 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,5 Ом
Montage: SMD
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.24 EUR |
| 10+ | 0.13 EUR |
| 100+ | 0.12 EUR |
| 1000+ | 0.094 EUR |
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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2N7002-TP (2N7002-7-F) Produktcode: 39940
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Lieblingsprodukt
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MCC |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 0,115 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/- Montage: SMD |
verfügbar: 139 St.
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| 2N7002-TP (2N7002-7-F) Produktcode: 39940
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: MCC
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 0,115 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/-
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 0,115 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/-
Montage: SMD
verfügbar: 139 St.
- 139 St. - stock Köln
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 0.079 EUR |
| 24+ | 0.051 EUR |
| 100+ | 0.039 EUR |
| 1000+ | 0.024 EUR |
Weitere Produktangebote 2N7002-7-F nach Preis ab 0.063 EUR bis 0.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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2N7002-7-F | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002-7-F | DIODES/ZETEX |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002-7-F | DIODES/ZETEX |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002-7-F | DIODES/ZETEX |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002-7-F | DIODES/ZETEX |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 9350 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002-7-F | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
auf Bestellung 310146 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002-7-F | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFET Transistors productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002-7-F | Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V 200mW |
auf Bestellung 276801 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002-7-F | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
auf Bestellung 310371 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 370mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
auf Bestellung 47645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 370mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
auf Bestellung 47645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 5146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| 2N7002-7-F | Diodes INC. |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 50 мA, 5 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,37, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 665 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N7002-7-F |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.063 EUR |
| 2N7002-7-F |
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Hersteller: DIODES/ZETEX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.076 EUR |
| 2N7002-7-F |
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Hersteller: DIODES/ZETEX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.076 EUR |
| 2N7002-7-F |
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Hersteller: DIODES/ZETEX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.076 EUR |
| 2N7002-7-F |
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Hersteller: DIODES/ZETEX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 9350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.076 EUR |
| 2N7002-7-F |
![]() |
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 310146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.08 EUR |
| 9000+ | 0.067 EUR |
| 2N7002-7-F |
![]() |
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFET Transistors
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFET Transistors
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.24 EUR |
| 9000+ | 0.19 EUR |
| 2N7002-7-F |
![]() |
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V 200mW
MOSFETs 60V 200mW
auf Bestellung 276801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 0.38 EUR |
| 21+ | 0.17 EUR |
| 100+ | 0.14 EUR |
| 500+ | 0.13 EUR |
| 1000+ | 0.11 EUR |
| 3000+ | 0.083 EUR |
| 2N7002-7-F |
![]() |
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 310371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 56+ | 0.38 EUR |
| 91+ | 0.23 EUR |
| 111+ | 0.19 EUR |
| 128+ | 0.17 EUR |
| 148+ | 0.14 EUR |
| 2N7002-7-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: DIODES INC. - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 47645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 447+ | 0.56 EUR |
| 1023+ | 0.23 EUR |
| 1180+ | 0.18 EUR |
| 2N7002-7-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: DIODES INC. - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 47645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1023+ | 0.23 EUR |
| 1180+ | 0.18 EUR |
| 2N7002-7-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7002-7-F |
![]() |
Hersteller: Diodes INC.
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 50 мA, 5 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,37, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 50 мA, 5 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,37, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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| BSS84 Produktcode: 187507
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: UMW
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 В
Drain-Strom Id, A: 0,13 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 73/0,9
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 В
Drain-Strom Id, A: 0,13 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 73/0,9
Montage: SMD
auf Bestellung: 2228 St.
- 2228 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 0.098 EUR |
| 15+ | 0.082 EUR |
| 100+ | 0.07 EUR |
| 1000+ | 0.058 EUR |
| 10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo) Produktcode: 82544
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 10 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 Вт
U Betrieb, V: 150 В
Bauform: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 10 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 Вт
U Betrieb, V: 150 В
Bauform: 0805
auf Bestellung: 159804 St.
- 159804 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 0.012 EUR |
| 1000+ | 0.0086 EUR |
| 10000+ | 0.0063 EUR |
| 1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-071KL /Yageo) Produktcode: 85265
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 1 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 Вт
U Betrieb, V: 150 В
Bauform: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 1 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 Вт
U Betrieb, V: 150 В
Bauform: 0805
auf Bestellung: 119200 St.
- 119200 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 0.012 EUR |
| 1000+ | 0.0086 EUR |
| 10000+ | 0.0063 EUR |
| IRF7343PBF Produktcode: 32395
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 4,7/3,4
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/24
Bemerkung: Zwei Transistoren N+P in einem Gehäuse
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 4,7/3,4
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/24
Bemerkung: Zwei Transistoren N+P in einem Gehäuse
Montage: SMD
verfügbar: 5 St.
- 5 St. - stock Köln
auf Bestellung: 60 St.
- 60 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.25 EUR |
| 10+ | 1.13 EUR |
| 100+ | 1.01 EUR |
| 100nF 16V X7R 10% 0603 (CL10B104KO8NNNC – Samsung) Produktcode: 132243
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100 нФ
Nennspannung: 16 В
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 0603
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100 нФ
Nennspannung: 16 В
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 0603
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 0.058 EUR |
| 50+ | 0.024 EUR |
| 100+ | 0.015 EUR |
| 1000+ | 0.012 EUR |









