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2N7002-T1-GE3
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2N7002-T1-GE3 VISHAY


2N7002.pdf Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
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Technische Details 2N7002-T1-GE3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V.

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2N7002-T1-GE3
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2N7002-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2N7002.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
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2N7002-T1-GE3 2N7002-T1-GE3 Hersteller : Vishay 70226.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002-T1-GE3 2N7002-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix 70226.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N7002-T1-GE3 2N7002-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix 70226.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N7002-T1-GE3 2N7002-T1-GE3 Hersteller : Vishay 70226.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002-T1-GE3 2N7002-T1-GE3 Hersteller : Vishay 70226.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002-T1-GE3 2N7002-T1-GE3 Hersteller : Vishay 70226.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002-T1-GE3 2N7002-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors 70226.pdf MOSFETs 60V 115mA 0.2W 7.5ohm @ 10V
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