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2N7002ET1G

2N7002ET1G ON Semiconductor

2n7002e-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details 2N7002ET1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 420mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002ET1G 2N7002ET1G onsemi 2N7002E-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
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3000+0.077 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002ET1G 2N7002ET1G ONSEMI 2354032.pdf Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
auf Bestellung 36000 Stücke:
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3000+0.11 EUR
9000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
472+0.38 EUR
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2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12038 Stücke:
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472+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 472 Stücke
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2N7002ET1G 2N7002ET1G onsemi 2N7002E-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
81+0.26 EUR
114+0.19 EUR
131+0.15 EUR
500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2N7002ET1G 2N7002ET1G onsemi 2N7002E-D.PDF MOSFETs NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms
auf Bestellung 178438 Stücke:
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7+0.54 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
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2N7002ET1G 2N7002ET1G ONSEMI 2354032.pdf Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
auf Bestellung 52404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
414+0.61 EUR
944+0.25 EUR
1119+0.19 EUR
1491+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 414 Stücke
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2N7002ET1G 2N7002ET1G ONSEMI 2354032.pdf Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
auf Bestellung 52404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.61 EUR
944+0.25 EUR
1119+0.19 EUR
1491+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N7002ET1G 2N7002ET1G ONSEMI 2N7002E.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.81nC
auf Bestellung 9845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002ET1G ON Semiconductor 2N7002E-D_ONS.PDF N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 260 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25, Qg, нКл = 0,81 @ 5 В, Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1597 Stücke:
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2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1G 2N7002E-D.PDF
2N7002ET1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.077 EUR
6000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002ET1G 2354032.pdf
2N7002ET1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.11 EUR
9000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
472+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 472 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
472+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 472 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1G 2N7002E-D.PDF
2N7002ET1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.42 EUR
81+0.26 EUR
114+0.19 EUR
131+0.15 EUR
500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1G 2N7002E-D.PDF
2N7002ET1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms
auf Bestellung 178438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+0.54 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1G 2354032.pdf
2N7002ET1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
auf Bestellung 52404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
414+0.61 EUR
944+0.25 EUR
1119+0.19 EUR
1491+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 414 Stücke
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2N7002ET1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
auf Bestellung 52404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.61 EUR
944+0.25 EUR
1119+0.19 EUR
1491+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N7002ET1G 2N7002E.PDF
2N7002ET1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.81nC
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2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 55 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1G 2N7002E-D_ONS.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 260 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25, Qg, нКл = 0,81 @ 5 В, Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1597 Stücke:
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