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2N7002ET1G

2N7002ET1G ON Semiconductor

2n7002e-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 282000 Stücke:
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Technische Details 2N7002ET1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 420mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002ET1G 2N7002ET1G onsemi 2N7002E-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
auf Bestellung 278586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2N7002ET1G 2N7002ET1G ON-Semiconductor info-t2n7002et1g.pdf N-MOSFET 60V 260mA 2N7002ET1G T2N7002et1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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2N7002ET1G 2N7002ET1G ONSEMI 2354032.pdf Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
auf Bestellung 48000 Stücke:
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3000+0.1 EUR
9000+0.095 EUR
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2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2281 Stücke:
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1534+0.11 EUR
1989+0.087 EUR
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2N7002ET1G 2N7002ET1G ONSEMI 2N7002E.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
667+0.13 EUR
966+0.088 EUR
1158+0.074 EUR
1749+0.049 EUR
1916+0.044 EUR
2017+0.042 EUR
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
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2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12043 Stücke:
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767+0.23 EUR
1246+0.13 EUR
1725+0.095 EUR
1993+0.079 EUR
3000+0.057 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 767 Stücke
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2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12043 Stücke:
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767+0.23 EUR
1247+0.14 EUR
1725+0.099 EUR
1993+0.083 EUR
3000+0.062 EUR
6000+0.052 EUR
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2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2281 Stücke:
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797+0.23 EUR
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1525+0.1 EUR
1534+0.099 EUR
1989+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 797 Stücke
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2N7002ET1G 2N7002ET1G onsemi 2N7002E-D.PDF MOSFETs NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms
auf Bestellung 190023 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.39 EUR
14+0.25 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.096 EUR
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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2N7002ET1G 2N7002ET1G onsemi 2N7002E-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
auf Bestellung 278586 Stücke:
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53+0.39 EUR
85+0.25 EUR
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500+0.11 EUR
1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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2N7002ET1G 2N7002ET1G ONSEMI 2354032.pdf Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
auf Bestellung 55544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
481+0.52 EUR
1010+0.23 EUR
1306+0.17 EUR
1707+0.13 EUR
1961+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 481 Stücke
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2N7002ET1G 2N7002ET1G ONSEMI 2354032.pdf Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
auf Bestellung 55544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.52 EUR
1010+0.23 EUR
1306+0.17 EUR
1707+0.13 EUR
1961+0.11 EUR
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2N7002ET1G ON Semiconductor 2N7002E-D_ONS.PDF N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 260 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25, Qg, нКл = 0,81 @ 5 В, Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.07 EUR
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2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 177000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.07 EUR
6000+0.058 EUR
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2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.071 EUR
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2N7002ET1G 2N7002E-D.PDF
2N7002ET1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1G info-t2n7002et1g.pdf
2N7002ET1G
Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 60V 260mA 2N7002ET1G T2N7002et1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
500+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1G 2354032.pdf
2N7002ET1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
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2N7002ET1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2281 Stücke:
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2N7002ET1G 2N7002E.PDF
2N7002ET1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 455 Stücke
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2N7002ET1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12043 Stücke:
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767+0.23 EUR
1246+0.13 EUR
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1993+0.079 EUR
3000+0.057 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 767 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12043 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
767+0.23 EUR
1247+0.14 EUR
1725+0.099 EUR
1993+0.083 EUR
3000+0.062 EUR
6000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 767 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
797+0.23 EUR
1071+0.15 EUR
1525+0.1 EUR
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1989+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 797 Stücke
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2N7002ET1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms
auf Bestellung 190023 Stücke:
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14+0.25 EUR
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2N7002ET1G 2N7002E-D.PDF
2N7002ET1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
auf Bestellung 278586 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
53+0.39 EUR
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500+0.11 EUR
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Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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2N7002ET1G 2354032.pdf
2N7002ET1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
auf Bestellung 55544 Stücke:
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481+0.52 EUR
1010+0.23 EUR
1306+0.17 EUR
1707+0.13 EUR
1961+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 481 Stücke
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2N7002ET1G 2354032.pdf
2N7002ET1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
auf Bestellung 55544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.52 EUR
1010+0.23 EUR
1306+0.17 EUR
1707+0.13 EUR
1961+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N7002ET1G 2N7002E-D_ONS.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 260 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25, Qg, нКл = 0,81 @ 5 В, Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1597 Stücke:
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