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2N7002K-T1-GE3

2N7002K-T1-GE3 Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details 2N7002K-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix 2n7002k.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 514990 Stücke:
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3000+0.12 EUR
9000+0.1 EUR
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2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2780 Stücke:
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733+0.24 EUR
866+0.19 EUR
1279+0.13 EUR
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2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2780 Stücke:
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2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1177 Stücke:
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735+0.24 EUR
875+0.19 EUR
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2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY 2n7002k.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
auf Bestellung 4552 Stücke:
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278+0.31 EUR
417+0.2 EUR
750+0.11 EUR
1211+0.07 EUR
1273+0.067 EUR
3000+0.061 EUR
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2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1177 Stücke:
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334+0.52 EUR
541+0.31 EUR
735+0.21 EUR
875+0.18 EUR
883+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
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2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay Semiconductors 2n7002k.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
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6+0.56 EUR
10+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix 2n7002k.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 515197 Stücke:
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38+0.57 EUR
61+0.35 EUR
85+0.25 EUR
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2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 41539 Stücke:
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360+0.69 EUR
589+0.39 EUR
800+0.26 EUR
971+0.23 EUR
1500+0.2 EUR
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2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 41539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+0.69 EUR
589+0.39 EUR
800+0.26 EUR
971+0.23 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
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2N7002K-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4552 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1541+0.11 EUR
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2N7002K-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 514990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
9000+0.1 EUR
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2N7002K-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2780 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
733+0.24 EUR
866+0.19 EUR
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2N7002K-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
733+0.24 EUR
866+0.2 EUR
1279+0.13 EUR
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2N7002K-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
735+0.24 EUR
875+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 735 Stücke
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2N7002K-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
auf Bestellung 4552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
278+0.31 EUR
417+0.2 EUR
750+0.11 EUR
1211+0.07 EUR
1273+0.067 EUR
3000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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2N7002K-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
334+0.52 EUR
541+0.31 EUR
735+0.21 EUR
875+0.18 EUR
883+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
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2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
auf Bestellung 289666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.56 EUR
10+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 515197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+0.57 EUR
61+0.35 EUR
85+0.25 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 41539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
360+0.69 EUR
589+0.39 EUR
800+0.26 EUR
971+0.23 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 41539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
360+0.69 EUR
589+0.39 EUR
800+0.26 EUR
971+0.23 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH