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2N7002KDW_R1_00001

2N7002KDW_R1_00001 Panjit International Inc.


2N7002KDW.pdf Hersteller: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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Technische Details 2N7002KDW_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 200mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N7002KDW_R1_00001 2N7002KDW_R1_00001 Hersteller : Panjit 2N7002KDW-1869725.pdf MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
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2N7002KDW_R1_00001 2N7002KDW_R1_00001 Hersteller : Panjit International Inc. 2N7002KDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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2N7002KDW_R1_00001 Hersteller : PanJit 2N7002KDW.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
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2N7002KDW_R1_00001 Hersteller : PanJit 2N7002KDW.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
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2N7002KDW_R1_00001 2N7002KDW_R1_00001 Hersteller : PanJit Semiconductor 2N7002KDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 115mA; Idm: 800mA; 120mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N7002KDW-R1-00001 2N7002KDW-R1-00001 Hersteller : Panjit 2N7002KDW-1869725.pdf MOSFETs SOT363 N CHAN 60V
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2N7002KDW_R1_00001 2N7002KDW_R1_00001 Hersteller : PanJit Semiconductor 2N7002KDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 115mA; Idm: 800mA; 120mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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