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2N7002KQBZ

2N7002KQBZ Nexperia

2n7002kqb.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.72A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
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Technische Details 2N7002KQBZ Nexperia

Description: NEXPERIA - 2N7002KQBZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 720 mA, 0.635 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 720mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 960mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 960mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.635ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.635ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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2N7002KQBZ 2N7002KQBZ Hersteller : Nexperia 2n7002kqb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.72A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
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2N7002KQBZ 2N7002KQBZ Hersteller : Nexperia 2n7002kqb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.72A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
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2N7002KQBZ 2N7002KQBZ Hersteller : Nexperia USA Inc. 2N7002KQB.pdf Description: 2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 720mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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2N7002KQBZ 2N7002KQBZ Hersteller : Nexperia 2n7002kqb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.72A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
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Mindestbestellmenge: 725
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2N7002KQBZ 2N7002KQBZ Hersteller : Nexperia 2N7002KQB.pdf MOSFETs 2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3
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2N7002KQBZ 2N7002KQBZ Hersteller : Nexperia USA Inc. 2N7002KQB.pdf Description: 2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 720mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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Mindestbestellmenge: 34
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2N7002KQBZ 2N7002KQBZ Hersteller : NEXPERIA 3594602.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002KQBZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 720 mA, 0.635 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 720mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.635ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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2N7002KQBZ 2N7002KQBZ Hersteller : NEXPERIA 3594602.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002KQBZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 720 mA, 0.635 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 720mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 960mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.635ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.635ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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2N7002KQBZ Hersteller : NEXPERIA 2n7002kqb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.72A 3-Pin DFN-D T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2N7002KQBZ 2N7002KQBZ Hersteller : Nexperia 2n7002kqb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.72A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
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2N7002KQBZ Hersteller : NEXPERIA 2N7002KQB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 720mA; Idm: 2.9A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 720mA
Power dissipation: 0.42W
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2.9A
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N7002KQBZ Hersteller : NEXPERIA 2N7002KQB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 720mA; Idm: 2.9A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 720mA
Power dissipation: 0.42W
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2.9A
Version: ESD
Technology: Trench
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