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2N7002LT3G

2N7002LT3G ON Semiconductor

2n7002l-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details 2N7002LT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N7002LT3G - N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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2N7002LT3G 2N7002LT3G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002LT3G 2N7002LT3G Hersteller : onsemi 2n7002l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N7002LT3G 2N7002LT3G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.058 EUR
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2N7002LT3G 2N7002LT3G Hersteller : onsemi 2n7002l-d.pdf MOSFETs 60V 115mA N-Channel
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13+0.23 EUR
100+0.13 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.088 EUR
5000+0.072 EUR
10000+0.049 EUR
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2N7002LT3G 2N7002LT3G Hersteller : onsemi 2n7002l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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79+0.22 EUR
128+0.14 EUR
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2000+0.079 EUR
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2N7002LT3G 2N7002LT3G Hersteller : ONSEMI 2354034.pdf Description: ONSEMI - 2N7002LT3G - N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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2N7002LT3G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ptot, Вт = 0,225; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 7,5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
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