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2N7002LT3G

2N7002LT3G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details 2N7002LT3G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 225mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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2N7002LT3G 2N7002LT3G onsemi 2N7002L-D.PDF description MOSFETs 60V 115mA N-Channel
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2N7002LT3G On Semiconductor 2N7002L-D.PDF description N-кан. MOSFET 60V, 0.115A, 0.20Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
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2N7002LT3G ON Semiconductor 2N7002L-D.PDF description N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ptot, Вт = 0,225, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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MOSFETs 60V 115mA N-Channel
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N-кан. MOSFET 60V, 0.115A, 0.20Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
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N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ptot, Вт = 0,225, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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