2N7002LT3G ON Semiconductor
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Technische Details 2N7002LT3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N7002LT3G - N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote 2N7002LT3G nach Preis ab 0.02 EUR bis 0.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||||
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2N7002LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
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2N7002LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
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2N7002LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
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2N7002LT3G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
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2N7002LT3G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 60V 115mA N-Channel |
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2N7002LT3G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002LT3G - N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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2N7002LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
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| 2N7002LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ptot, Вт = 0,225; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 7,5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3 |
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2N7002LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
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2N7002LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
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2N7002LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
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2N7002LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
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2N7002LT3G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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2N7002LT3G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
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2N7002LT3G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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