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Technische Details 2N7002NXAKR Nexperia
Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 265mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 265mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-236AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm.
Weitere Produktangebote 2N7002NXAKR nach Preis ab 0.027 EUR bis 0.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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2N7002NXAKR | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002NXAKR | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V |
auf Bestellung 336000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002NXAKR | TECH PUBLIC |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002NXAKR SOT-23 TECH PUBLIC T2N7002NXAKR TEC Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 370 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002NXAKR | TECH PUBLIC |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002NXAKR SOT-23 TECH PUBLIC T2N7002NXAKR TEC Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002NXAKR | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.76A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.12A Power dissipation: 0.265W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 0.76A Version: ESD Technology: Trench |
auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002NXAKR | Nexperia |
MOSFETs SOT23 N-CH 60V .3A |
auf Bestellung 888251 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002NXAKR | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V |
auf Bestellung 337965 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002NXAKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002NXAKR T2N7002NXAKR |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2N7002NXAKR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 265mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm |
auf Bestellung 82583 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2N7002NXAKR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 265mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 265mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm |
auf Bestellung 82583 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2N7002NXAKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 447 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 128 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2N7002NXAKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2354 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 2354 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2N7002NXAKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2354 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 2354 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N7002NXAKR |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5348+ | 0.027 EUR |
| 2N7002NXAKR |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
auf Bestellung 336000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.041 EUR |
| 6000+ | 0.036 EUR |
| 9000+ | 0.034 EUR |
| 15000+ | 0.031 EUR |
| 21000+ | 0.03 EUR |
| 30000+ | 0.028 EUR |
| 2N7002NXAKR |
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Hersteller: TECH PUBLIC
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002NXAKR SOT-23 TECH PUBLIC T2N7002NXAKR TEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002NXAKR SOT-23 TECH PUBLIC T2N7002NXAKR TEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 400+ | 0.07 EUR |
| 2N7002NXAKR |
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Hersteller: TECH PUBLIC
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002NXAKR SOT-23 TECH PUBLIC T2N7002NXAKR TEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002NXAKR SOT-23 TECH PUBLIC T2N7002NXAKR TEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 300+ | 0.094 EUR |
| 2N7002NXAKR |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.76A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.76A
Version: ESD
Technology: Trench
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.76A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.76A
Version: ESD
Technology: Trench
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 404+ | 0.17 EUR |
| 2N7002NXAKR |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT23 N-CH 60V .3A
MOSFETs SOT23 N-CH 60V .3A
auf Bestellung 888251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 14+ | 0.21 EUR |
| 22+ | 0.13 EUR |
| 100+ | 0.081 EUR |
| 500+ | 0.06 EUR |
| 1000+ | 0.051 EUR |
| 3000+ | 0.037 EUR |
| 6000+ | 0.032 EUR |
| 2N7002NXAKR |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
auf Bestellung 337965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 84+ | 0.21 EUR |
| 136+ | 0.13 EUR |
| 222+ | 0.079 EUR |
| 500+ | 0.057 EUR |
| 1000+ | 0.05 EUR |
| 2N7002NXAKR |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002NXAKR T2N7002NXAKR
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002NXAKR T2N7002NXAKR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| 2N7002NXAKR |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
auf Bestellung 82583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7002NXAKR |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 265mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 265mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
auf Bestellung 82583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7002NXAKR |
|
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7002NXAKR |
|
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7002NXAKR |
|
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)