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2N7002NXAKR

2N7002NXAKR Nexperia

2n7002nxak.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details 2N7002NXAKR Nexperia

Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 265mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 265mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-236AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Nexperia USA Inc. 2N7002NXAK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
auf Bestellung 330000 Stücke:
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3000+0.05 EUR
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2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Nexperia ac79967c75d45426d9d6425830bae42d_TECH_PUBLIC.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002NXAKR T2N7002NXAKR
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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2N7002NXAKR 2N7002NXAKR TECH PUBLIC ac79967c75d45426d9d6425830bae42d_TECH_PUBLIC.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002NXAKR SOT-23 TECH PUBLIC T2N7002NXAKR TEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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2N7002NXAKR 2N7002NXAKR TECH PUBLIC ac79967c75d45426d9d6425830bae42d_TECH_PUBLIC.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002NXAKR SOT-23 TECH PUBLIC T2N7002NXAKR TEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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2N7002NXAKR 2N7002NXAKR NEXPERIA 2N7002NXAK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.76A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.76A
Gate charge: 0.43nC
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
364+0.24 EUR
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2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Nexperia 2N7002NXAK.pdf MOSFETs 2N7002NXAK/SOT23/TO-236AB
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14+0.25 EUR
22+0.15 EUR
100+0.096 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.061 EUR
3000+0.044 EUR
6000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Nexperia USA Inc. 2N7002NXAK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
auf Bestellung 332145 Stücke:
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84+0.25 EUR
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2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2354 Stücke:
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590+0.3 EUR
1023+0.17 EUR
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2N7002NXAKR 2N7002NXAKR NEXPERIA 2842563.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
auf Bestellung 80143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
508+0.49 EUR
878+0.26 EUR
1346+0.15 EUR
2000+0.11 EUR
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2N7002NXAKR 2N7002NXAKR NEXPERIA 2842563.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 265mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
auf Bestellung 80143 Stücke:
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878+0.26 EUR
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2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 442 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 442 Stücke:
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2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2354 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 455 Stücke
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2N7002NXAKR 2n7002nxak.pdf
2N7002NXAKR
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
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2N7002NXAKR
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
auf Bestellung 330000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.05 EUR
6000+0.044 EUR
9000+0.042 EUR
15000+0.038 EUR
21000+0.036 EUR
30000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002NXAKR ac79967c75d45426d9d6425830bae42d_TECH_PUBLIC.pdf
2N7002NXAKR
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002NXAKR T2N7002NXAKR
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
500+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N7002NXAKR ac79967c75d45426d9d6425830bae42d_TECH_PUBLIC.pdf
2N7002NXAKR
Hersteller: TECH PUBLIC
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002NXAKR SOT-23 TECH PUBLIC T2N7002NXAKR TEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
400+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 370 Stücke
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2N7002NXAKR ac79967c75d45426d9d6425830bae42d_TECH_PUBLIC.pdf
2N7002NXAKR
Hersteller: TECH PUBLIC
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002NXAKR SOT-23 TECH PUBLIC T2N7002NXAKR TEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
300+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 230 Stücke
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2N7002NXAKR 2N7002NXAK.pdf
2N7002NXAKR
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.76A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.76A
Gate charge: 0.43nC
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
364+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
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2N7002NXAKR 2N7002NXAK.pdf
2N7002NXAKR
Hersteller: Nexperia
MOSFETs 2N7002NXAK/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 882008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+0.25 EUR
22+0.15 EUR
100+0.096 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.061 EUR
3000+0.044 EUR
6000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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2N7002NXAKR 2N7002NXAK.pdf
2N7002NXAKR
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
auf Bestellung 332145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
84+0.25 EUR
134+0.15 EUR
217+0.096 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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2N7002NXAKR 2n7002nxak.pdf
2N7002NXAKR
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
590+0.3 EUR
1023+0.17 EUR
1565+0.1 EUR
2332+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 590 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002NXAKR 2842563.pdf
2N7002NXAKR
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
auf Bestellung 80143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
508+0.49 EUR
878+0.26 EUR
1346+0.15 EUR
2000+0.11 EUR
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Mindestbestellmenge: 508 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7002NXAKR
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 265mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
auf Bestellung 80143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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508+0.49 EUR
878+0.26 EUR
1346+0.15 EUR
2000+0.11 EUR
2332+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 508 Stücke
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2N7002NXAKR
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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2N7002NXAKR
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002NXAKR
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
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