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2N7002PV,115

2N7002PV,115 Nexperia USA Inc.

2N7002PV.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.13 EUR
8000+0.12 EUR
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Technische Details 2N7002PV,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N7002PV,115 2N7002PV,115 Nexperia 2n7002pv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3087+0.21 EUR
10000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3087 Stücke
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2N7002PV,115 2N7002PV,115 Nexperia 2n7002pv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
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2N7002PV,115 2N7002PV,115 Nexperia 2n7002pv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+0.62 EUR
463+0.37 EUR
746+0.21 EUR
1018+0.15 EUR
1158+0.13 EUR
2000+0.11 EUR
4000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
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2N7002PV,115 2N7002PV,115 Nexperia USA Inc. 2N7002PV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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32+0.67 EUR
52+0.4 EUR
100+0.26 EUR
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1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
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2N7002PV,115 2N7002PV,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+1.05 EUR
387+0.61 EUR
618+0.35 EUR
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2N7002PV,115 2N7002PV,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
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2N7002PV,115
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
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Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17711 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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2N7002PV,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-666
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
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2N7002PV,115
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
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