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2N7002PV,115

2N7002PV,115 Nexperia

2n7002pv.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
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Technische Details 2N7002PV,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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2N7002PV,115 2N7002PV,115 Hersteller : Nexperia 2n7002pv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
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2N7002PV,115 2N7002PV,115 Hersteller : Nexperia 2n7002pv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
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2N7002PV,115 2N7002PV,115 Hersteller : Nexperia 2n7002pv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
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2N7002PV,115 2N7002PV,115 Hersteller : Nexperia 2n7002pv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
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2N7002PV,115 2N7002PV,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. 2N7002PV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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2N7002PV,115 2N7002PV,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. 2N7002PV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Mindestbestellmenge: 32
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2N7002PV,115 2N7002PV,115 Hersteller : Nexperia 2N7002PV.pdf MOSFETs NRND for Automotive Applications 2N7002PV/SOT666/SOT6
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100+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
4000+0.11 EUR
8000+0.09 EUR
24000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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2N7002PV,115 2N7002PV,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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2N7002PV,115 2N7002PV,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1370 Stücke:
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2N7002PV,115 2N7002PV,115 Hersteller : NEXPERIA 2n7002pv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
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2N7002PV,115 Hersteller : NEXPERIA 2N7002PV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.25A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N7002PV,115 Hersteller : NEXPERIA 2N7002PV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.25A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
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