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2N7002PV,115

2N7002PV,115 Nexperia USA Inc.

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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT666
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Technische Details 2N7002PV,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N7002PV,115 2N7002PV,115 Nexperia 2n7002pv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
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2N7002PV,115 2N7002PV,115 Nexperia 2n7002pv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
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2N7002PV,115 2N7002PV,115 Nexperia 2n7002pv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
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2N7002PV,115 2N7002PV,115 Nexperia 2N7002PV.pdf MOSFETs 2N7002PV/SOT666/SOT6
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2N7002PV,115 2N7002PV,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
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2N7002PV,115 2N7002PV,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
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Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT666
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2N7002PV,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
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AnzahlPrivatkunde
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