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2SA1162-O,LF

2SA1162-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 2816 Stücke:
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Technische Details 2SA1162-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SA1162-O,LF 2SA1162-O,LF Toshiba E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
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18+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.077 EUR
3000+0.074 EUR
6000+0.061 EUR
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