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2SA1163-BL,LF

2SA1163-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
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Technische Details 2SA1163-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 150 mW.

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2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Hersteller : Toshiba 2SA1163_datasheet_en_20220302-1916313.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
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2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163 Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
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2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Hersteller : Toshiba 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
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2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Hersteller : Toshiba 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
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2SA1163-BL,LF Hersteller : Toshiba 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
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