2SA1201-Y(TE12L,ZC Toshiba
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| 500+ | 0.36 EUR |
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| 5000+ | 0.27 EUR |
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Technische Details 2SA1201-Y(TE12L,ZC Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SA1201-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SC-62, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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2SA1201-Y(TE12L,ZC | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS PNP 120V 0.8A PW-MINIPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW |
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2SA1201-Y(TE12L,ZC | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1201-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SC-62 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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2SA1201-Y(TE12L,ZC | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1201-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
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2SA1201-Y(TE12L,ZC | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
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2SA1201-Y(TE12L,ZC | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SA1201-Y(TE12L,ZC | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SA1201-Y(TE12L,ZC | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 120V 0.8A PW-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW |
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