2SA1201-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.8A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 735 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 15+ | 1.18 EUR |
| 25+ | 0.73 EUR |
| 100+ | 0.47 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
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Technische Details 2SA1201-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 2SA1201-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SC-62, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote 2SA1201-Y(TE12L,ZC nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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2SA1201-Y(TE12L,ZC | Hersteller : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT SC62-3 120V .8A PNP EPITAXIAL |
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2SA1201-Y(TE12L,ZC | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1201-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SC-62 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA1201-Y(TE12L,ZC | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1201-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA1201-Y(TE12L,ZC | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SA1201-Y(TE12L,ZC | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SA1201-Y(TE12L,ZC | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SA1201-Y(TE12L,ZC | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 120V 0.8A PW-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |