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2SA1201-Y(TE12L,ZC

2SA1201-Y(TE12L,ZC Toshiba


2SA1201_datasheet_en_20131101-1649773.pdf Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT SC62-3 120V .8A PNP EPITAXIAL
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Technische Details 2SA1201-Y(TE12L,ZC Toshiba

Description: TOSHIBA - 2SA1201-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SC-62, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20286&prodName=2SA1201 Description: TRANS PNP 120V 0.8A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
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2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Hersteller : TOSHIBA docget.jsp?did=20286&prodName=2SA1201 Description: TOSHIBA - 2SA1201-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Hersteller : Toshiba 52sa1201_en_datasheet_061109.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
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2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20286&prodName=2SA1201 Description: TRANS PNP 120V 0.8A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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