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2SA1209S

2SA1209S ON Semiconductor

2sa1209-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 160V 0.014A 1000mW 3-Pin TO-126
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Technische Details 2SA1209S ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 160V 0.14A TO-126, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: TO-126, Current - Collector (Ic) (Max): 140 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 1 W.

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2SA1209S 2SA1209S Hersteller : ON Semiconductor 2sa1209-d.pdf Trans GP BJT PNP 160V 0.014A 1000mW 3-Pin TO-126
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2SA1209S 2SA1209S Hersteller : onsemi SNYOS09871-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 160V 0.14A TO-126
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 140 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
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2SA1209S 2SA1209S Hersteller : ONSEMI SNYOS09871-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1209S - 2SA1209S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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2SA1209 S
Produktcode: 152201
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Gehäuse: TO-126
fT: 150 MHz
U, V: 160 V
U, V: 180 V
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2SA1209S 2SA1209S Hersteller : ON Semiconductor 2sa1209(1).pdf Trans GP BJT PNP 160V 0.014A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126
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