2SA1216


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Produktcode: 37869
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Technische Details 2SA1216

  • TRANSISTOR, PNP MT-200
  • Transistor Polarity:PNP
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:180V
  • Typ Gain Bandwidth ft:40MHz
  • Av Current Ic:17A
  • Case Style:MT-200
  • Current Ib:5A
  • Current Ic hFE:8A
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Current Ic:17A
  • Max Current Ic Continuous a:17A
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max Power Dissipation Ptot:200W
  • Max Voltage Vce Sat:2V
  • Min Hfe:30
  • No. of Transistors:1
  • Pulsed Current Icm:16A
  • Transistor Type:Power General Purpose
  • Voltage Vcbo:180V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SA1216 2SA1216 EVVO 2SA1216.PDF?rlkey=8xsg5e6yamtwtsaqqh2cav2nn&st=gbtq18s0&dl=0 description Description: SILICON PNP POWER TRANSISTOR,MT-
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2SA1216 description 2SA1216.PDF?rlkey=8xsg5e6yamtwtsaqqh2cav2nn&st=gbtq18s0&dl=0
Hersteller: EVVO
Description: SILICON PNP POWER TRANSISTOR,MT-
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