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2SA1416S-TD-E

2SA1416S-TD-E ON Semiconductor

2sa1416-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details 2SA1416S-TD-E ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 100V 1A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PCP, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 500 mW.

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2SA1416S-TD-E 2SA1416S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SA1416S-TD-E 2SA1416S-TD-E Hersteller : onsemi 2sa1416-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
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2SA1416S-TD-E 2SA1416S-TD-E Hersteller : onsemi 2SA1416_D-3150366.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 100V
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2SA1416S-TD-E 2SA1416S-TD-E Hersteller : onsemi 2sa1416-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
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Supplier Device Package: PCP
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
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