2SA1416S-TD-E ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
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Technische Details 2SA1416S-TD-E ONSEMI
Description: TRANS PNP 100V 1A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PCP, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 500 mW.
Weitere Produktangebote 2SA1416S-TD-E nach Preis ab 0.36 EUR bis 0.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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2SA1416S-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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2SA1416S-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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2SA1416S-TD-E | ON Semiconductor |
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2SA1416S-TD-E | ON Semiconductor |
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2SA1416S-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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| 2SA1416S-TD-E |
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| 2SA1416S-TD-E |
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