Produkte > ONSEMI > 2SA1416T-TD-E
2SA1416T-TD-E

2SA1416T-TD-E onsemi


2sa1416-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 1950 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2SA1416T-TD-E onsemi

Description: TRANS PNP 100V 1A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PCP, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 500 mW.

Weitere Produktangebote 2SA1416T-TD-E nach Preis ab 0.4 EUR bis 1.35 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
2SA1416T-TD-E 2SA1416T-TD-E Hersteller : onsemi 2SA1416_D-3150366.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 100V
auf Bestellung 2294 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
49+1.06 EUR
57+ 0.93 EUR
100+ 0.7 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.5 EUR
2000+ 0.43 EUR
10000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 49
2SA1416T-TD-E 2SA1416T-TD-E Hersteller : onsemi 2sa1416-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 2749 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.35 EUR
23+ 1.14 EUR
100+ 0.79 EUR
500+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 20
2SA1416T-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1416T-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2SA1416T-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar