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2SA1576U3HZGT106R

2SA1576U3HZGT106R ROHM SEMICONDUCTOR

datasheet?p=2SA1576U3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 200mW; SC70,SOT323
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 180...390
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Frequency: 140MHz
Collector current: 0.15A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.2W
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Technische Details 2SA1576U3HZGT106R ROHM SEMICONDUCTOR

Description: TRANS PNP 50V 0.15A UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 140MHz, Supplier Device Package: UMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SA1576U3HZGT106R 2SA1576U3HZGT106R Rohm Semiconductor 2sa1576u3hzgt106r-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
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2SA1576U3HZGT106R 2SA1576U3HZGT106R Rohm Semiconductor 2sa1576u3hzgt106r-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
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2SA1576U3HZGT106R 2SA1576U3HZGT106R Rohm Semiconductor 2sa1576u3hzgt106r-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
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2SA1576U3HZGT106R 2SA1576U3HZGT106R Rohm Semiconductor datasheet?p=2SA1576U3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS PNP 50V 0.15A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 151 Stücke:
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61+0.35 EUR
100+0.21 EUR
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Transistor Type: PNP
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
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