| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1330+ | 0.13 EUR |
| 1624+ | 0.11 EUR |
| 2000+ | 0.1 EUR |
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Technische Details 2SA1587-GR,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SA1587-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote 2SA1587-GR,LF(T nach Preis ab 0.055 EUR bis 0.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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2SA1587-GR,LF(T | Toshiba |
 Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R |
auf Bestellung 10377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA1587-GR,LF(T | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R |
auf Bestellung 10377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA1587-GR,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1587-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 35830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA1587-GR,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1587-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 35830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA1587-GR,LF(T | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R |
auf Bestellung 1498 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 660 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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2SA1587-GR,LF(T | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 2778 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SA1587-GR,LF(T |
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Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 10377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 957+ | 0.18 EUR |
| 1178+ | 0.14 EUR |
| 1425+ | 0.12 EUR |
| 1764+ | 0.094 EUR |
| 2305+ | 0.071 EUR |
| 2488+ | 0.064 EUR |
| 2SA1587-GR,LF(T |
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Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 10377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 443+ | 0.39 EUR |
| 578+ | 0.3 EUR |
| 961+ | 0.17 EUR |
| 1184+ | 0.13 EUR |
| 1433+ | 0.1 EUR |
| 1774+ | 0.081 EUR |
| 2315+ | 0.06 EUR |
| 2500+ | 0.055 EUR |
| 2SA1587-GR,LF(T |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1587-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SA1587-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 35830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 449+ | 0.56 EUR |
| 725+ | 0.32 EUR |
| 1159+ | 0.19 EUR |
| 1583+ | 0.13 EUR |
| 1832+ | 0.12 EUR |
| 5000+ | 0.094 EUR |
| 2SA1587-GR,LF(T |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1587-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SA1587-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 35830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 449+ | 0.56 EUR |
| 725+ | 0.32 EUR |
| 1159+ | 0.19 EUR |
| 1583+ | 0.13 EUR |
| 1832+ | 0.12 EUR |
| 5000+ | 0.094 EUR |
| 2SA1587-GR,LF(T |
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Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 1498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2SA1587-GR,LF(T |
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Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)