auf Bestellung 9582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1427+ | 0.11 EUR |
| 1429+ | 0.1 EUR |
| 1603+ | 0.09 EUR |
| 2000+ | 0.083 EUR |
| 3000+ | 0.079 EUR |
| 6000+ | 0.075 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2SA1587-GR,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SA1587-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote 2SA1587-GR,LF(T nach Preis ab 0.083 EUR bis 0.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SA1587-GR,LF(T | Hersteller : Toshiba |
 Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R |
auf Bestellung 2768 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
2SA1587-GR,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1587-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 33210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
|
|
2SA1587-GR,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1587-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 33210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
 |
2SA1587-GR,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
 |
2SA1587-GR,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.1A; 0.1W; SC70 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.1W Case: SC70 Current gain: 200...700 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Anzahl je Verpackung: 18000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
2SA1587-GR,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.1A; 0.1W; SC70 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.1W Case: SC70 Current gain: 200...700 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
Produkt ist nicht verfügbar |