2SA1587-GR,LF

2SA1587-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage


2SA1587_datasheet_en_20221102.pdf?did=19172&prodName=2SA1587 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.091 EUR
6000+ 0.084 EUR
9000+ 0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2SA1587-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SC-70, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 100 mW.

Weitere Produktangebote 2SA1587-GR,LF nach Preis ab 0.068 EUR bis 0.56 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
2SA1587-GR,LF 2SA1587-GR,LF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1587_datasheet_en_20221102.pdf?did=19172&prodName=2SA1587 Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
auf Bestellung 25008 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
48+0.55 EUR
70+ 0.37 EUR
144+ 0.18 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48
2SA1587-GR,LF 2SA1587-GR,LF Hersteller : Toshiba 2SA1587_datasheet_en_20221102-1916389.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
auf Bestellung 29479 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
94+0.56 EUR
139+ 0.37 EUR
339+ 0.15 EUR
1000+ 0.11 EUR
3000+ 0.086 EUR
9000+ 0.07 EUR
24000+ 0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 94
2SA1587-GR,LF 2SA1587-GR,LF Hersteller : Toshiba docget.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin USM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2SA1587-GR,LF 2SA1587-GR,LF Hersteller : Toshiba docget.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin USM T/R
Produkt ist nicht verfügbar