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2SA1721OTE85LF Toshiba


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Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT NSM PLN TRANSIST Pd=150mW F=1MHz
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Technische Details 2SA1721OTE85LF Toshiba

Description: TRANS PNP 300V 0.1A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 150 mW.

Weitere Produktangebote 2SA1721OTE85LF nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SA1721OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PNP 300V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
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2SA1721OTE85LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 300V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
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Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
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