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2SA1941-O(Q)

2SA1941-O(Q) Toshiba

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Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT PNP VCEO -140V 70-W DC -10A 100W
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Technische Details 2SA1941-O(Q) Toshiba

Description: TRANS PNP 140V 10A TO-3P, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 700mA, 7A, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-3P(N), Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 100 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SA1941-O(Q) 2SA1941-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20422&prodName=2SA1941 Description: TRANS PNP 140V 10A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 700mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
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Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
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