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Technische Details 2SA1941-O(Q) Toshiba
Description: TRANS PNP 140V 10A TO-3P, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 700mA, 7A, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-3P(N), Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 100 W.
Weitere Produktangebote 2SA1941-O(Q) nach Preis ab 1.61 EUR bis 4.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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2SA1941-O(Q) | Hersteller : Toshiba |
 Trans GP BJT PNP 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
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2SA1941-O(Q) | Hersteller : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT PNP VCEO -140V 70-W DC -10A 100W |
auf Bestellung 3228 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SA1941-O(Q) | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
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2SA1941-O(Q) | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SA1941-O(Q) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 140V 10A TO-3P Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 700mA, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P(N) Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 100 W |
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