2SA1971(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 400V 0.5A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
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| Anzahl | Preis |
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| 1000+ | 0.38 EUR |
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Technische Details 2SA1971(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 2SA1971(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SC-62, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 35MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote 2SA1971(TE12L,F) nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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2SA1971(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA1971(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Pb-FREE POWER TRANSISTOR PW-MINI IC=-0.5A V=-400 |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SA1971(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 400V 0.5A PW-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 35MHz Supplier Device Package: PW-MINI Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 500 mW |
auf Bestellung 1012 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SA1971(TE12L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1971(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SC-62 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 35MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA1971(TE12L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1971(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA1971(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA1971(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SA1971(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |