Produkte > TOSHIBA > 2SA1971(TE12L,F)
2SA1971(TE12L,F)

2SA1971(TE12L,F) Toshiba

12152sa1971_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
auf Bestellung 1672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
344+0.46 EUR
345+ 0.44 EUR
500+ 0.36 EUR
1000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 344
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2SA1971(TE12L,F) Toshiba

Description: PB-FREE POWER TRANSISTOR PW-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 35MHz, Supplier Device Package: PW-MINI, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 500 mW.

Weitere Produktangebote 2SA1971(TE12L,F) nach Preis ab 0.47 EUR bis 1.52 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1971_datasheet_en_20131101.pdf?did=20431&prodName=2SA1971 Description: PB-FREE POWER TRANSISTOR PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
18+1.02 EUR
100+ 0.76 EUR
500+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 18
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Hersteller : Toshiba 2SA1971_datasheet_en_20131101-1649640.pdf Bipolar Transistors - BJT Pb-FREE POWER TRANSISTOR PW-MINI IC=-0.5A V=-400
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
35+1.52 EUR
40+ 1.31 EUR
100+ 0.98 EUR
500+ 0.77 EUR
1000+ 0.59 EUR
2000+ 0.54 EUR
10000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 35
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Hersteller : Toshiba 12152sa1971_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Hersteller : Toshiba 12152sa1971_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Hersteller : Toshiba 12152sa1971_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1971_datasheet_en_20131101.pdf?did=20431&prodName=2SA1971 Description: PB-FREE POWER TRANSISTOR PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar