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2SA1971(TE12L,F)

2SA1971(TE12L,F) Toshiba


12152sa1971_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
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Technische Details 2SA1971(TE12L,F) Toshiba

Description: TRANS PNP 400V 0.5A PW-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 35MHz, Supplier Device Package: PW-MINI, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 500 mW.

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2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Hersteller : Toshiba 2SA1971_datasheet_en_20131101-1649640.pdf Bipolar Transistors - BJT Pb-FREE POWER TRANSISTOR PW-MINI IC=-0.5A V=-400
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2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20431&prodName=2SA1971 Description: TRANS PNP 400V 0.5A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
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2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20431&prodName=2SA1971 Description: TRANS PNP 400V 0.5A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
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Frequency - Transition: 35MHz
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