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2SA1971(TE12L,F)

2SA1971(TE12L,F) Toshiba

2sa1971_datasheet_en_20131101.pdf
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
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Technische Details 2SA1971(TE12L,F) Toshiba

Description: TOSHIBA - 2SA1971(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: SC-62, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 35MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Toshiba 2sa1971_datasheet_en_20131101.pdf Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
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2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Toshiba 2B9920E9FFE5AF0AFB099E5031A6188884CD22E9E20C39703B3E96495D87A6A8.pdf Bipolar Transistors - BJT X35 Pb-FREE POWER TRANSISTOR PW-MINI IC=-0.5A V=-400
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100+1.04 EUR
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2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20431&prodName=2SA1971 Description: TRANS PNP 400V 0.5A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
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2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) TOSHIBA docget.jsp?did=20431&prodName=2SA1971 Description: TOSHIBA - 2SA1971(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 35MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3033 Stücke:
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119+2.11 EUR
192+1.21 EUR
294+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
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2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) TOSHIBA docget.jsp?did=20431&prodName=2SA1971 Description: TOSHIBA - 2SA1971(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Toshiba 2sa1971_datasheet_en_20131101.pdf Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
auf Bestellung 193 Stücke:
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2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) TOSHIBA docget.jsp?did=20431&prodName=2SA1971 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 400V; 500mW; SC62
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 0.5W
Case: SC62
Mounting: SMD
Frequency: 35MHz
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 Mindestbestellmenge: 263 Stücke
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Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
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Bipolar Transistors - BJT X35 Pb-FREE POWER TRANSISTOR PW-MINI IC=-0.5A V=-400
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100+1.04 EUR
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2SA1971(TE12L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 400V 0.5A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
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2SA1971(TE12L,F) docget.jsp?did=20431&prodName=2SA1971
2SA1971(TE12L,F)
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1971(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 35MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2SA1971(TE12L,F)
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1971(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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Hersteller: TOSHIBA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 400V; 500mW; SC62
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 0.5W
Case: SC62
Mounting: SMD
Frequency: 35MHz
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